PANews 10월 13일 소식, 머스크는 X에서 메모리 칩 업계 경쟁에 대해 논평하며, 중국이 일단 제품 제조를 장악하면 그 규모화 생산 능력이 전 세계 다른 지역의 합계를 넘어서는 경우가 많으며, 리튬 배터리와 태양광 산업에서 이미 이러한 점이 드러났다고 밝혔다. 그는 중국이 통일된 표준을 따르는 LP5, LP6 저전력 메모리 기술을 빠르게 공략하고 있지만, 새로운 HBM(고대역폭 메모리) 아키텍처, 로직 칩 아래의 SRAM 층, 그리고 로직 칩 위에 3차원으로 메모리를 적층하고 발열 문제를 해결하는 것은 기술 난이도가 더 높다고 보았다.