PANews 8月27日消息，據財聯社報導，SK海力士啟動位於美國印第安納州、投資40億美元的儲存中心建設；將於2029年下半年在印第安納州工廠啟動下一代HBM4E晶片的量產。SK海力士CEO預計印第安納州將成為美國高頻寬記憶體（HBM）的核心生產基地。