PANews 8月5日ニュース、金十によると、米国東部時間8月4日、サムスン電子は米カリフォルニア州サンタクララで開催されたFuture Memory and Storage（FMS）にて、V10 Bonding V-NAND、すなわちBV-NANDプロトタイプ製品を発表した。このチップは400層を超える構造を持ち、ストレージ密度の向上とパフォーマンス強化のため、まったく新しいウェハボンディングアーキテクチャを採用している。サムスンによると、BV-NAND技術は前世代のV9 NANDに比べてストレージ密度を約58％向上させるとともに、読み取り、書き込み、入出力性能を高め、AIシステムにおけるより大容量で高効率なストレージソリューションへの高まる需要に応えるという。

サムスンはさらに、業界初と称するzHBMおよびzNAND-Oアーキテクチャのコンセプトモデルを披露した。この技術はストレージセルを垂直に積層することで、より小さなスペースにより多くのデータを格納する。従来のHBMがAIプロセッサと並列にパッケージングされるのに対し、サムスンのzHBMは、AIアクセラレータの上にメモリを垂直に積層し、データ伝送距離を短縮して帯域幅を向上させると同時に、エネルギー効率を高める。サムスンは、そのウェハボンディング技術によって、従来のHBM5メモリの10倍を超えるストレージ密度を実現できる可能性があり、同時にエネルギー効率を3倍に高め、熱抵抗を半分以下に低減できるとしている。