PANews 8月12日ニュース、『科創板日報』の報道によると、サムスン電子は1nm級プロセスノードでHigh NA EUV装置の商用化適用を計画している。サムスン電子ファウンドリ工程開発チームの朴昌民氏は、2nmのSF2と1.4nmのSF1.4という近い将来の2つのノードにとって、High NA EUVリソグラフィのパターニング技術はまだ成熟していないと述べた。一方、より高いパターニング解像度は1nm級で必須要件となるため、サムスンファウンドリはこれを目標にパートナーと共同研究開発を進めている。サムスンファウンドリが以前、SF1.4の量産時期を2029年に設定し、2030年に改良型SF1.4+を投入する計画であることを考慮すると、その1nmノードは早くとも2030年にならないと登場しない見通しだ。