PANews 8月5日消息，據金十報道，美東時間8月4日，三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的未來儲存與記憶體大會（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型產品。該晶片擁有超過400層結構，並採用全新的晶圓鍵合架構，以提高儲存密度並增強效能。三星表示，其BV-NAND技術較上一代V9 NAND將儲存密度提高約58%，同時提升讀取、寫入以及輸入/輸出效能，以滿足人工智慧系統對更高容量、更高能效儲存解決方案日益增長的需求。

三星還展示了其稱業界首款zHBM和zNAND-O架構概念模型。該技術通過垂直堆疊儲存單元，在更小空間內儲存更多數據。不同於傳統HBM與AI處理器並列封裝的方式，三星的zHBM會將儲存垂直堆疊於AI加速器之上，以縮短數據傳輸距離，提高頻寬，同時提升能源效率。三星表示，其晶圓鍵合技術有望實現超過傳統HBM5記憶體10倍的儲存密度，同時將能源效率提高3倍，並將熱阻降低一半以上。