PANews 8월 12일 소식, 《과창판일보》 보도에 따르면 삼성전자는 1nm급 공정 노드에서 High NA EUV 장비의 상용화 적용을 계획하고 있다. 삼성전자 파운드리 공정 개발팀 박창민 담당은 2nm SF2와 1.4nm SF1.4 두 근시일 노드의 경우 High NA EUV 리소그래피 패터닝 기술이 아직 성숙하지 않았다고 밝혔다. 더 높은 패터닝 분해능은 1nm급에서 필수 요소가 될 전망이며, 이에 삼성 파운드리는 이를 목표로 파트너사와 공동 연구개발을 진행 중이다. 삼성 파운드리가 앞서 2029년을 SF1.4 양산 시점으로 설정하고 2030년에 개선형 SF1.4+를 출시할 계획임을 고려하면, 1nm 노드는 빨라야 2030년에나 선보일 것으로 보인다.