記憶體週期見頂？請收下這份美國銀行的「基本面心理按摩」

原報告：BofA Global Research《Global Memory Tech》，2026 年 7 月 2 日

編譯 & 整理：DaiDai，MSX 麥通

編輯：Frank，MSX 麥通

要點速覽：

美國銀行認為，近期存儲股的集中回調，主要來自 Meta 訂單、長鑫存儲進入蘋果供應鏈及韓國擴產等風險敘事，並不代表行業基本面已經反轉；
Meta 對外提供數據中心或雲服務，更可能是算力變現與業務多元化，而非存儲需求大幅削減，其 HBM、LPDDR5 和企業級 SSD 需求仍在增長；
長鑫存儲短期內較難成為蘋果的重要 DRAM 供應商，蘋果更可能將其作為與三星、SK 海力士和美光進行價格談判的籌碼；
日本產業鏈調研顯示，三、四季度 DRAM 與 NAND 價格仍有望環比上漲，2027 年行業可能繼續短缺，廠商資本開支與晶圓產量仍相對克制；
存儲行業仍處於強週期，但隨著產品價格和相關股票大幅上漲，後續行情將更加依賴盈利兌現，板塊波動與個股分化可能明顯加大；

過去一週，全球存儲股經歷了一輪顯著回調。

市場很快為這次下跌找到了三條看似合理的解釋：Meta 準備向外部出售部分算力，可能意味著此前的數據中心建設出現過剩；蘋果正在評估長鑫存儲的 DRAM，可能打破三星電子、SK 海力士和美光的供應格局；韓國又公布了規模龐大的半導體產業集群計畫，進一步加劇未來供給過剩的擔憂。

三條敘事最終都指向同一個結論：需求可能見頂，供給即將擴張，存儲超級週期或許已經走到尾聲。

但美國銀行在最新一期《Global Memory Tech》報告中給出的判斷恰恰相反。

在其看來，上述風險並非完全不存在，但市場明顯高估了它們對短期供需格局的影響，無論是雲廠商資本開支、韓國半導體出口，還是 DRAM 與 NAND 的現貨及合約價格，都尚未顯示出存儲週期已經發生方向性逆轉。

真正發生變化的，不是基本面由強轉弱，而是行業在經歷大幅漲價和股價重估後，開始進入一個基本面仍強、交易難度卻顯著上升的新階段。

一、逐個盤點，市場擔憂是否成立？

1. Meta 對外賣算力，不等於削減存儲訂單

市場對 Meta 的擔憂，來自一個看似合理的推論：如果 Meta 開始向外部客戶開放數據中心或出售雲服務，是否意味著公司此前採購了過多伺服器，內部業務已經無法消化現有算力？

如果答案是肯定的，GPU、HBM、伺服器 DRAM 和企業級 SSD 等 AI 硬體需求，便可能隨之下降。

但美國銀行報告表示，從產業鏈回饋來看，存儲晶片廠商認為 Meta 將繼續在 AI 數據中心中更積極地採用 HBM、LPDDR5 和企業級 SSD 等高性能存儲產品，因此市場關於「Meta 將出租前期過度投資的 AI 伺服器或雲基礎設施」的猜測缺乏充分依據。

甚至於部分 NAND 控制器晶片和封裝基板材料廠商反而表示，Meta 的晶片及零部件訂單仍在增強，因此 Meta 向外部客戶開放自有數據中心，更可能是一種資產變現和業務多元化嘗試，而不是被迫處理嚴重過剩的算力。

2. 長鑫存儲進入蘋果供應鏈，更像價格談判籌碼

美國銀行報告預計，蘋果短期內大規模採用長鑫存儲 DRAM 的機率仍然較低。

細數的話，主要存在三方面制約：

首先是政策與供應鏈限制：蘋果需要考慮美國針對中國半導體產業的相關限制，以及由此帶來的合規和供應鏈風險；
其次是技術規格：蘋果對移動 DRAM 的傳輸速度、功耗和可靠性要求較高，包括 10Gbps 以上的傳輸速度、約 1.1V 的低功耗設計，以及 ECC 錯誤校正能力。長鑫存儲能否長期穩定、大規模滿足這些要求，仍需進一步驗證；
最後則是是知識產權風險：DRAM 核心專利長期集中在三星、SK 海力士和美光等頭部廠商手中。蘋果若大規模採用專利覆蓋不足的產品，可能面臨潛在訴訟及供應中斷風險；

長鑫存儲理論上可以爭取低端 iPhone 18e 訂單，但考慮到相關機型在中國市場的規模，實際採購量預計有限。

相比真正重構供應鏈，蘋果更可能藉此提升自己在 2026 年下半年或 2027 年合約價格談判中的議價能力，因此這一事件短期內更可能影響三星、海力士和美光的定價預期，而非立刻改變全球 DRAM 的供需格局。

3. 韓國大規模擴產，不代表短期供給失控

近期另一個擔憂來自韓國的新一輪半導體產業集群規劃。

部分投資者認為，韓國政府計劃在西南部地區投入約 800 萬億韓元建設新的存儲晶圓廠集群，可能意味著存儲週期已接近頂部，但美國銀行報告則對此持否定態度，並預計該項目在 2030 年代初以前難形成大規模有效供給，且現階段仍需優先推進龍仁和平澤產業集群在 2026-2035 年的擴建。

因此，一項橫跨十餘年的產業規劃，不能直接等同於未來兩三年供給即將失控，長期擴產值得持續跟蹤，但尚不足以成為判斷本輪存儲週期見頂的直接依據。

4. 日本產業鏈調研仍然偏樂觀

美國銀行近期在日本開展的產業鏈調研，也繼續強化了對存儲行業的樂觀判斷。

日本投資者普遍認可當前行業景氣，但隨著產品價格與相關股票快速上漲，市場也開始更加關注潛在的下行週期，且相比投資者的謹慎，產業鏈管理層給出的判斷仍然偏積極：

二季度存儲 ASP 表現強勁，尤其是 NAND；
三、四季度 ASP 預計仍將高於二季度；
2027 年 DRAM 與 NAND 可能繼續處於短缺狀態；
長期供貨協議數量增加，但主要仍以採購量約定為主；
資本開支與晶圓產量繼續保持克制，尤其是日本 NAND 廠商；

這意味著，儘管市場已經開始提前討論下一輪供給週期，但從廠商實際擴產和客戶採購行為來看，行業仍未進入明顯的供給失控階段。

5. 三星存儲業務仍可能超預期

在 7 月 2 日發布的報告中，美國銀行預計，受特別獎金支出以及智慧型手機業務利潤率承壓影響，三星電子二季度整體營業利潤可能略低於市場較為樂觀的預期；但由於 DRAM 與 NAND 平均售價強勁，存儲業務單獨計算的營業利潤仍有望高於市場預期。

報告發布五天後，三星於 7 月 7 日公布二季度初步業績：合併銷售額約 171 萬億韓元，營業利潤約 89.4 萬億韓元，分別同比增長 129.3% 和 1810.3 %。其中，營業利潤高於市場此前約 86 萬億韓元的預期，意味著美國銀行關於集團整體利潤可能略低於樂觀預期的判斷，最終並未兌現。

不過，三星此次披露的仍是集團層面的初步業績，尚未公布存儲、晶圓代工及移動業務的詳細利潤數據，因此存儲部門是否單獨超出預期，仍需等待完整財報確認。結合二季度 DRAM、NAND 價格上漲以及韓國半導體出口大幅增長來看，存儲業務仍極可能是推動三星本輪利潤躍升的核心力量。

二、出口、ASP 與產品價格釋放了什麼信號？

1. 韓國半導體出口大幅增長

2026 年 6 月，韓國半導體出口額達到 448 億美元，環比增長 21%，同比增長 199%，並已連續六個月實現三位數同比增長。

這一數字約為 2025 年月均 140 億美元的三倍，反映出當前存儲漲價已經開始明顯傳導至出口收入和企業盈利。

當然，出口額上升並不完全代表出貨量同步增長，其中很大一部分增量來自產品平均售價的快速提高，但這也恰恰說明，當前產業鏈的核心矛盾仍然是價格上漲和供給偏緊，而不是庫存積壓或需求明顯萎縮。

韓國半導體出口額及同比增速：2026 年 6 月出口顯著躍升（原報告第 2 頁）

2. DRAM 仍然是當前最強的存儲品類

TrendForce 已將 2026 年第三季 DRAM ASP 預測，由季增 3%—8% 上調至 13%—18%；美國銀行則預計，2026 年第二至第四季 DRAM ASP 將分別季增 53%、17% 和 7%。

兩組預測的具體口徑有所不同，但共同指向同一個趨勢，那就是 DRAM 下半年仍將繼續漲價，只是隨著價格基數升高，環比漲幅可能逐季放緩。

截至 2026 年 7 月初，16Gb DDR5 現貨價格約為 47 美元，16Gb DDR4 約為 75 美元，均明顯高於上一輪存儲週期的價格高點，核心原因並不只是終端客戶補庫存，而是存儲廠商持續將晶圓產能轉向利潤率更高的 HBM 和伺服器 DRAM。

先進產能被 AI 相關產品吸收後，傳統 DDR4 和常規 DDR5 能夠獲得的供給同步減少。

尤其是 DDR4。隨著頭部廠商逐步退出成熟產品，DDR4 出現明顯的結構性短缺，16Gb DDR4 與 DDR5 的合約價格均已升至 35—40 美元區間，DDR5 相對 DDR4 長期存在的技術溢價基本消失。

這並不意味著市場更偏愛舊一代 DDR4，而是廠商退出速度快於客戶完成產品切換的速度，導致成熟產品反而變得更加稀缺。

3.NAND 漲價放緩，但絕對價格仍處高位

相比 DRAM，NAND 價格的邊際變化更加明顯。

512Gb NAND 晶圓現貨價格在 2026 年 3 月達到階段高點後，於 4—6 月逐步趨穩或略有回落，但年內仍上漲超過 50%，約為 2025 年 2 月低點的八倍。

NAND 合約價約為 25 美元，約為 2025 年 2 月低點 2.5 美元的十倍，在 2025 年第四季度和 2026 年第一季度經歷大幅上漲後，4—6 月 NAND 合約價格的單月漲幅已經回落至 1%—5% 左右。

這並不意味著 NAND 價格已經反轉，而是說明客戶對高價的承受能力逐漸接近極限，漲價速度正在回歸正常。

客戶端 SSD 價格的變化尤其直觀。截至 2026 年 6 月，512GB 客戶端 SSD 價格已由 2025 年底的 73.1 美元升至 137.5 美元，接近翻倍，反映出上游 NAND 漲價正在持續向終端產品傳導。

因此，NAND 當前更準確的狀態是絕對價格仍然很高，但環比上漲速度正在放緩。

4.伺服器記憶體繼續創下高位

伺服器記憶體同樣延續強勢。

64GB 伺服器 DRAM 模組價格創下歷史新高，其中 DDR5 約為 1400 美元，DDR4 約為 1100 美元。2026 年 6 月，DDR5 伺服器 DRAM 合約價再次上漲，DDR4 價格則基本持平。

這說明，即使部分消費級存儲產品的漲價速度開始放緩，AI 伺服器和數據中心相關的高端存儲需求依然強勁。

三、雲資本開支仍是需求錨點，但投資邏輯正在改變

1.超大規模雲廠商仍在擴張

Amazon、Microsoft、Alphabet 與 Meta 等超大規模雲廠商，正在成為存儲新增需求最重要的來源。報告預計，四家公司 2026 年合計資本開支約為 7000 億美元，同比增長約 80%；2027—2028 年，年度資本開支規模可能進一步接近 1 萬億美元。

且美國銀行並未看到主要雲廠商在 2027 年明顯削減資本開支的跡象，那就意味著這些投入最終將轉化為更多 AI 加速器與 HBM、更多伺服器 DRAM、更多企業級 SSD、更多數據中心及 AI 推理基礎設施。

美國主要超大規模雲廠商資本開支、收入與毛利率趨勢（原報告第 3 頁）

報告預計，2026—2028 年，四大科技公司的整體收入有望增長 15%—20%，雲業務收入同比增速可能達到 35%—40%。

其中 AWS 營業利潤率預計維持在 35% 以上，Azure 可能超過 40%，Google Cloud 則有望達到 30%—35%。

只要雲業務仍能保持較高的收入增速和利潤率，科技巨頭便仍有繼續擴大 AI 基礎設施投入的商業動力。

雲收入與雲業務營業利潤率趨勢（原報告第 3 頁）

2.本輪週期已不再只是消費電子補庫存

本輪存儲週期與過去最大的不同，是需求不再主要依賴智能手機和個人電腦補庫存。

過去的存儲週期，往往主要由個人電腦和智慧型手機庫存變化驅動，形成了典型的週期特徵，譬如終端需求上升、客戶補庫存、存儲價格上漲；隨後廠商擴大產能、庫存逐漸積累，價格再度進入下行週期。

但本輪存儲週期的結構更加複雜，當前需求早已經由單一消費電子補庫存，擴展至：

HBM；
伺服器 DRAM；
企業級 SSD；
AI 推理基礎設施；
超大規模雲廠商資本開支；
DDR4 產能退出帶來的結構性短缺。

這意味著，只觀察 PC 和智慧型手機銷量，已經不足以判斷整個存儲週期——即使部分消費電子需求因價格過高而承壓，AI 伺服器和數據中心仍可能繼續吸收高端產能，使整體供給保持偏緊。

但這也意味著，板塊內部的分化會越來越明顯。簡言之，HBM、伺服器 DRAM、企業級 SSD 和先進封裝相關企業，可能繼續受益於更強的訂單與利潤率；過度依賴客戶端、手機和消費級 NAND 的廠商，則可能更早感受到需求彈性下降。

3.從行業普漲轉向盈利兌現

2026 年以來，NAND、HDD 和 DRAM 相關股票普遍經歷了大幅上漲。

原報告圖表顯示，SanDisk 與鎧俠年內漲幅一度超過 800%，DRAM 廠商和部分半導體公司同樣顯著上漲。

在這種情況下，即使行業基本面沒有發生方向性變化，任何關於客戶訂單、資本開支、新增供給或價格談判的消息，都可能引發劇烈波動。

因此美國銀行對存儲行業的判斷，可以概括為基本面仍然偏多，但股價已經不再處於可以忽略風險的階段，總的來看，未來板塊表現將更加依賴三項因素：

第一，存儲價格能否維持在足以推動盈利繼續上修的水平；
第二，企業實際利潤增速能否消化此前的估值擴張；
第三，新增資本開支是否繼續保持克制，避免長期供給預期過快惡化；

這也是為什麼過去一週的回調並不一定意味著存儲超級週期已經結束，卻可能意味著板塊正在從「行業普漲」轉向「盈利驗證」和「個股篩選」。

寫在最後

客觀而言，Meta 對外提供雲服務、長鑫存儲進入蘋果供應鏈，以及韓國啟動大規模擴產計劃，都不是可以完全忽視的風險。

但至少從美國銀行這份報告所呈現的數據來看，它們尚未改變存儲行業最重要的三個事實：

超大規模雲廠商資本開支仍在增長；
DRAM 與 NAND 價格仍處於歷史高位；
新增先進產能仍需要較長時間才能形成有效供給；

因此，與其說過去一週的回調意味著「週期見頂」，不如說市場正在嘗試為下一階段重新定價。

本輪存儲週期尚未出現明確的基本面拐點，但在高價格、高預期和高漲幅同時出現後，投資者接下來需要回答的問題，已經不侷限於存儲行業還會不會漲，反而擴大到哪些產品仍然短缺，哪些公司能夠兌現盈利，又有哪些股票已經提前透支了未來？

行業基本面仍然強勁，但屬於整個板塊無差別重估的階段，可能正在逐漸過去。